Vakumlu gümüş kaplamalı magnetron hedefinin çalışma voltajı, sıçratma birikimi meydana geldiğinde düşüktür.
Mesaj bırakın
Vakumlu gümüş kaplamalı magnetron hedefinin çalışma voltajı, sıçratma birikimi meydana geldiğinde düşüktür.
The increase of the ionization probability of the working gas and the improvement of the ionization rate of the target material reduce the internal resistance during the discharge of the vacuum gas, so the working voltage of the magnetron target during sputtering deposition is low (mostly between 4-600V), and there are The working voltage is slightly higher (such as >700V) ve bazı çalışma voltajları daha düşüktür (yaklaşık 300V gibi).
Bir film oluşturmak için alt tabaka üzerinde vakumlu gümüş biriktirme
Püskürtülen parçacıkların belirli bir işlevi vardır, alt tabakaya belirli bir yönde ateş eder ve sonunda bir film oluşturmak üzere alt tabaka üzerinde birikirler. Pek çok çarpışmadan sonra, elektronların enerjisi kademeli olarak azalır, kuvvet çizgilerinin zincirlerinden kurtulur ve sonunda alt tabakaya, vakum odasının iç duvarına ve hedef güç kaynağının anoduna düşer.
Vakumlu gümüş kaplamanın hedef yüzeyindeki manyetik alan, yüklü parçacıklar üzerinde kısıtlayıcı bir etkiye sahiptir.
Hedef yüzeyindeki manyetik alan, yüklü parçacıklar üzerinde sınırlayıcı bir etkiye sahiptir. Elektronların elektromanyetik alan tarafından kısıtlanması ve hızlanması nedeniyle, elektronlar alt tabakaya ve anoda ulaşmadan önce yol alır, bu da yerel AR gazının çarpışma iyonlaşma olasılığını büyük ölçüde artırır. Elektrik alanının etkisi altında, Ar plus iyonu katot olarak hedefin bombardımanını hızlandırır ve hedefin yüzeyindeki moleküller, atomlar ve iyonlar gibi elektronları püskürterek hedefin püskürtme ayrılma oranını artırır.
Vakumlu gümüşleme çalışma modunda iki aşamalı püskürtme
Magnetron püskürtme, iki aşamalı püskürtmenin bir çalışma modudur. Temel olarak iki ve dört aşamalı püskürtmeden farklıdır; birincisi, püskürtme katot hedefinin arkasına kalıcı bir mıknatıs veya elektromıknatısın yerleştirilmesidir. Hedef yüzeyde yatay bileşenli bir manyetik alan veya dikey bileşenli bir manyetik alan oluşturulur ve gaz deşarjı tarafından üretilen elektronlar, hedef yüzeye yakın plazma alanında belirli bir yörüngede hareket etmeye bağlanır; Pist daireler çizerek döner.
www.superbheater.com
