Silisyum dioksit ince filmler oluşturmak için kullanılan silisyum karbür çubukların yüzey oksidasyonu

Kullanım sırasında silisyum karbür çubuğun yüzeyi oksitlenerek bir silikon dioksit filmi oluşturur. Uzun süreli kullanım, silisyum dioksit filmini ve silisyum karbür çubuğun direnç değerini artırır. Silika film, kristalleşmenin kritik noktasının (270 derece) yakınında anormal genişleme ve büzülmeye maruz kalır. Aralıklı fırın kullanımı sırasında sıcaklığın sürekli dalgalanması nedeniyle, oksidasyonu hızlandırmak için silikon dioksit filmi tekrar tekrar kırılır. Bu nedenle, elektrik kesintisi fırınının sıcaklığı oda sıcaklığına düştüğünde, direnç genellikle keskin bir şekilde artar. Silisyum karbür çubukların direnç değerleri farklı ise, yüksek dirençli silisyum karbür çubukların yükü seri bağlandığında daha fazla yoğunlaşır, bu da belirli bir silisyum karbür çubuğun direncinin hızla artmasına ve ömrünün kısalmasına kolayca yol açabilir. Silisyum karbür çubuklar genellikle seri ve paralel kablolama ile birlikte kullanılır. Grup olarak iki seri bağlantı ve ardından birden çok paralel bağlantı kullanılması önerilir. Özellikle fırın içindeki sıcaklık 1350 dereceyi geçtiğinde paralel bağlanmalıdır. Üç fazlı kablolama için açık üçgen kablo kullanılması tavsiye edilir.