Vakumlu Gümüş İyon Işını Destekli Biriktirme için Optik İnce Filmlerin Elektromanyetik Özellikleri ve Geliştirilmesi

Vakumlu Gümüş İyon Işını Destekli Biriktirme için Optik İnce Filmlerin Elektromanyetik Özellikleri ve Geliştirilmesi

İyon ışını destekli biriktirme, filmlerin elektromanyetik özelliklerini değiştirebilir ve optik ince filmlerin performansını artırabilir.

İyon destekli biriktirme, atomik biriktirme ve iyon implantasyonunun ilgili parametrelerini hassas ve bağımsız bir şekilde ayarlayabildiğinden ve düşük bombardıman enerjilerinde tutarlı bileşime sahip birkaç mikronluk kaplamaları sürekli olarak üretebildiğinden, çeşitli kaplamalar oda sıcaklığında büyütülebilir. Yüksek sıcaklıklarda işlendiğinde malzemeler veya hassas parçalar üzerinde olumsuz etkileri önlemek için tohum filmi.

Vakumlu gümüş iyon ışın destekli biriktirmenin korozyon direnci ve oksidasyon direnci

İyon ışını destekli biriktirme, filmlerin korozyon ve oksidasyon direncini artırır. İyon ışını destekli biriktirme yoluyla biriktirilen yoğun film tabakası nedeniyle, film bazının arayüz yapısının iyileştirilmesi veya amorf bir durumun oluşması nedeniyle parçacıklar arasındaki tanecik sınırlarının ortadan kalkması faydalıdır: malzemenin güçlü korozyon direnci ve yüksek sıcaklıkta oksidasyona karşı direnç.

Vakumlu gümüş kaplamanın iyon ışını destekli biriktirilmesi, filmlerin stres özelliklerini değiştirir

İyon ışını destekli biriktirme, filmin stres özelliklerini ve kristal yapısındaki değişiklikleri değiştirebilir. Örneğin, Cr filmi 11.5keV Xe plus veya Ar plus ile alt tabakanın yüzeyini bombardıman ederek hazırlandığında, alt tabakanın sıcaklığı, bombardıman iyonlarının enerjisi ve iyonların varış oranı gibi parametrelerin ayarlanmasının gerekli olduğu bulunmuştur. Atomlara uygulanan gerilim, çekme geriliminden basınç gerilimine dönüşebilir. Filmin kristal yapısında da değişiklikler olur. Örneğin, belirli bir iyon-atom varış oranında, iyon ışınıyla desteklenen biriktirme, termal buharlaştırmayla biriktirilen filmlerden daha iyi tercih edilen yönelime sahiptir.

Vakumlu gümüş iyon ışın destekli biriktirme yoluyla filmlerin geliştirilmiş mekanik özellikleri

İyon ışını destekli biriktirme, filmin mekanik özelliklerini iyileştirebilir, yorulma ömrünü uzatabilir ve oksitler, karbürler, kübik BN, TiB ve elmas benzeri kaplamaların hazırlanması için çok uygundur. Örneğin, 200nm SiN filmi, iyon ışın destekli biriktirme teknolojisi ile 1Cr18Ni9Ti ısıya dayanıklı çelik üzerinde büyütüldüğünde, yalnızca malzemenin yüzeyinde yorulma çatlaklarının başlamasını engellemekle kalmaz, aynı zamanda yorulma çatlaklarının yayılma hızını da önemli ölçüde azaltır. ömrünün uzatılmasında iyi bir etkiye sahiptir.

www.superbheater.com